第三代半导体SiC用多孔石墨多孔碳PG/EM3

随着第三代半导体材料碳化硅（SiC）的快速发展，多孔石墨（PG/EM3）作为关键材料，广泛应用于SiC晶体生长工艺中。多孔石墨具有特的孔隙结构、高纯度、耐高温和良好的热稳定性，能够显著改善SiC晶体的生长环境，提升晶体质量。

产品特性

高纯度：纯度高，杂质含量低，满足SiC晶体生长对材料的高纯度要求。

多孔结构：具有大孔、介孔和微孔相结合的多级孔隙结构，能够有效调节气相组分，促进物质输运，减少晶体缺陷。

耐高温：可在2000℃以上的高温环境下稳定使用，适用于SiC晶体生长的极端条件。

热稳定性：能够平衡生长环境的温度分布，减少热应力对晶体生长的影响。

定制化：可根据客户的具体需求，定制不同尺寸和孔隙结构的产品。

应用领域

SiC晶体生长：作为长晶炉中的关键材料，多孔石墨板能够改善晶体生长环境，减少微管和其他缺陷，提升晶体质量。

高温隔热材料：用于SiC生长炉的隔热层，提高热效率，降低能耗。

半导体制造：适用于离子注入、CVD等高温工艺中的隔热和支撑部件。

技术优势

优化晶体生长：多孔石墨能够有效调节生长环境中的C/Si比，减少相变的发生，提升晶体生长的稳定性。

降低研发成本：通过优化生长环境，减少晶体缺陷，降低SiC晶体生长的研发成本。

提高原料利用率：多孔石墨能够促进原料的充分升华和利用，提高原料的有效利用率。

公司优势

经验：多年专注于第三代半导体材料的研发和生产，积累了丰富的行业经验。

技术支持：提供的技术咨询和定制化解决方案，满足客户的个性化需求。

质量：严格的质量检测流程，确保产品符合国际标准