高纯石墨坩埚:专为第三代半导体碳化硅（SiC）单晶生长定制

专为第三代半导体碳化硅（SiC）单晶生长定制

着第三代半导体产业的快速发展，碳化硅（SiC）单晶生长对高温、高纯度材料的需求不断增加。弘信新材推出的高纯石墨坩埚，专为SiC单晶生长工艺定制，具备的耐高温性（高可达2200°C）、导热性和化学稳定性。

产品特性：

高纯度石墨材料，纯度≥99.99%，确保在高温环境下不污染SiC晶体。

适用于4寸、6寸、8寸、12寸长晶衬底，满足不同客户的需求。

提供定制化服务，可根据客户图纸加工，确保适配您的设备。

应用领域：

专为SiC单晶生长炉设计，提升晶体生长的稳定性和质量。

适用于半导体制造中的高温工艺，如MOCVD、CVD等。

公司优势：

经验：多年专注于半导体用石墨制品的研发和生产。

技术支持：提供的技术咨询和定制化解决方案。

质量：严格的质量检测流程，确保每一件产品都符合国际标准。

1.1 原材料质量

我司承诺使用符合标准的石墨原材料，并确保自原厂到成品各环节均有相应的质量资质与来料合格认证，实现原材料的全程可追溯与质量。

1.2 产品加工精度

我司的加工设备均为精密设备，加工设备包含数控车床、CNC加工中心、纯化炉等。

检测设备包含三坐标测量仪，影像测量仪等，为我们保障了产品加工的标准。

我们的操作团队由员工组成，拥有深厚的行业经验，确保每件产品的制造过程无误。

1.3  产品质量

我们实施严格的出厂质量检验制度，确保每一件产品都能符合客户的高标准要求。我们的质量管理体系旨在为客户提供无可挑剔的产品，实现客户满意率的。